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在非易失性存儲器（NVM）中，閃存是事實上的標準，隨著行業(yè)不斷向更先進的節(jié)點擴展，對更先進技術(shù)的需求變得緊迫。閃存的局限性越來越明顯，尤其是對于大多數(shù)應(yīng)用來說，將閃存嵌入28nm以上的SoC在經(jīng)濟上是不可行的。
新興的存儲器技術(shù)，如電阻RAM（ReRAM）、相變存儲器（PCM）、磁阻RAM（MRAM）和鐵電RAM（FRAM），為浮柵存儲器器件提供了一種替代方案，并且可以更容易地擴展到高級幾何結(jié)構(gòu)。這些技術(shù)在成本、復(fù)雜性、功率、性能和其他關(guān)鍵因素方面各有優(yōu)缺點。提供最佳平衡的技術(shù)是ReRAM，它正在成為替代閃存的領(lǐng)先候選者，用于廣泛的應(yīng)用。
ReRAM技術(shù)將在未來12個月內(nèi)開始進入市場。這項技術(shù)是廣泛應(yīng)用的理想NVM，但由于ReRAM的推出（將以相當(dāng)?shù)偷拿芏乳_始），以及終端市場的趨勢，如新興應(yīng)用的成本驅(qū)動因素、性能和功率目標以及認證要求，采用的時間表各不相同。
在這里，我們將討論一些我們認為ReRAM將首先獲得吸引力的應(yīng)用程序，以及我們目前對每個應(yīng)用程序的時間表的想法。
未來1年多：電源管理集成電路的雷拉姆
ReRAM將首先立足于電源管理IC（PMIC）和其他模擬/混合信號設(shè)計。每個電子設(shè)備至少有一個PMIC，用于管理系統(tǒng)內(nèi)的電力分配。可編程PMIC的市場需求正在增加，以支持無線充電和智能電機控制器的普及等趨勢。這些設(shè)備的PMIC必須是智能的，并且能夠運行多種算法，因此它們需要低功耗、可編程和可現(xiàn)場升級的微控制器（MCU）和NVM。
今天的解決方案通�；谝粋�單獨的MCU芯片，其NVM與PMIC并列。然而，為了降低成本和功率，有一種趨勢是將PMIC、MCU和NVM集成在更先進的幾何形狀的單個管芯上。在130nm以下，嵌入式閃存對于這些應(yīng)用來說開始過于昂貴，并且也很難集成。這在很大程度上是因為閃存集成在前端線（FEOL），因此公司通常必須在電源/模擬組件上做出妥協(xié)，以在同一晶片上容納閃存。這可能導(dǎo)致性能下降、尺寸增大和成本上升。
ReRAM是一種后端線（BEOL）技術(shù)（圖1），因此它可以用于一個幾何體，并且它將與該節(jié)點的所有不同變體一起工作，而flash需要適應(yīng)每個變體。此外，與閃存ReRAM所需的約10個額外掩模相比，僅使用兩個掩模加法器具有成本效益，這是大多數(shù)IC的明顯要求。 |
