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電荷電壓傳感器
來源:薄膜壓力傳感器壓力分布 | 發(fā)布時(shí)間:2022/8/4 21:03:14 | 瀏覽次數(shù):

電荷傳感器

 

概念:當(dāng)受到機(jī)械力(壓電效應(yīng))或溫度變化(熱電效應(yīng))的刺激時(shí),電荷傳感器在其表面產(chǎn)生符號(hào)相反的相等電荷。

 

等效圖:壓電、熱電傳感器可通過以下等效圖之一建模:

 


戴維南等值圖:

 

電動(dòng)勢(shì)e=Q/C0與電容器C0串聯(lián)。

 

戴維南.png

 

 


諾頓等效圖:

 

電流源i=dq/dt與電容器C0并聯(lián)。

 

Norton.png

 

操作模式:當(dāng)使用壓電-熱電傳感器時(shí),測(cè)量信號(hào)強(qiáng)烈依賴于實(shí)驗(yàn)條件。可以測(cè)量比例信號(hào)或其導(dǎo)數(shù)。這些操作模式的極限由儀器鏈的截止頻率給出。

 

信號(hào)調(diào)節(jié)

 

直接連接:通過將傳感器直接連接到放大器、示波器或DAC(數(shù)據(jù)采集卡),必須記住,外部阻抗可能會(huì)對(duì)要測(cè)量的信號(hào)產(chǎn)生關(guān)鍵影響。為了確定所述影響,相關(guān)阻抗(來自傳感器、電纜和測(cè)量?jī)x器輸入)建模如下:

 

sensor.png直接連接的等效圖

 

傳感器直接連接的等效圖

 

 

對(duì)該圖的進(jìn)一步分析顯示了高通濾波器的行為,其截止頻率由下式給出:

 

方程高通濾波器.png

當(dāng)f>>fc時(shí),測(cè)量信號(hào)與產(chǎn)生的電荷成正比:

當(dāng)f

 

Vin f和supp fc的等式。png等式Vin f inf fc.png

 

 


電荷傳感器

 

為了大幅限制外部阻抗的影響,建議使用電荷傳感器。工作原理基于使用外部電容器C來存儲(chǔ)產(chǎn)生的電荷。電荷轉(zhuǎn)換器也可以稱為電荷電壓轉(zhuǎn)換器。

 

 

電荷放大器.png

 

電荷電壓傳感器的實(shí)際實(shí)現(xiàn)

 

 

如圖所示,我們認(rèn)為運(yùn)算放大器是理想的。其輸入之間的差分電壓為零,因此傳感器產(chǎn)生的電流i被驅(qū)動(dòng)至反饋電容器C。為了防止寄生影響導(dǎo)致輸出飽和,必須在反饋電容器上添加并聯(lián)電阻器R。

 

這種電路具有高通濾波器特性,其截止頻率由下式給出:

 

方程式fc電荷傳感器.png

當(dāng)f>>fc時(shí),測(cè)得的信號(hào)與產(chǎn)生的電荷成正比:當(dāng)f

 

由施加的電場(chǎng)引起的變形可由簡(jiǎn)單公式定義:

 

Si=d3i.E

 

哪里:

 

Si=Δxi/xi=ΔL/L表示樣品在xi方向上的應(yīng)變(相對(duì)變形)

d3i是壓電應(yīng)變常數(shù)(在與施加電場(chǎng)垂直的方向上)

變形方案.png

 

 

具有以下特性的元件示例:

 

長(zhǎng)度:l=1厘米

寬度:w=2mm

厚度:t=9µm

施加電壓:V=200 V→ E(電場(chǎng))=V/t

(d31,d32,d33)=(11,10,-30)pC.N-1

壓電應(yīng)變常數(shù)d由下式給出:

 

d=應(yīng)變發(fā)展/應(yīng)用場(chǎng)=S/E

 

例如,應(yīng)變生成.png

 

 

傳感器:數(shù)量級(jí),電壓產(chǎn)生

 

由施加的力引起的電場(chǎng)輸出(E)可由以下公式定義:

 

E=gijσi

 

哪里:

 

σi是施加的機(jī)械應(yīng)力(N.m-2)

gij是壓電電壓常數(shù)(Vm.Nm-2)

g=產(chǎn)生/施加的電場(chǎng)機(jī)械應(yīng)力=E/σ

 

其中g(shù)=d/ε=d/ωrε0

 

Sensor scheme.png

 

 

具有以下特性的元件示例:

 

長(zhǎng)度:l=2厘米

寬度:w=2厘米

厚度:t=100µm

壓縮0.1巴→ σ=-10000 N.m-2

(g31,g32,g33)=(216,19,-339)*10-3-Vm.Nm-2

E=V0/t=g33.σ3

 

V0=g33.σ3.t=339 mV

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