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晶圓拋光壓力測量

晶圓或化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）要求達(dá)到均勻的表面或后續(xù)的制造步驟會(huì)受到不利影響，這將耗費(fèi)您的公司資金。



晶片壓力分布：不均勻的材料很可能是由于拋光頭上晶片上的壓力不均勻-施加在拋光頭的兩個(gè)凸起上的較高壓力。

晶片壓力分布：不均勻的材料很可能是由于拋光頭上晶片上的壓力不均勻-施加在拋光頭的兩個(gè)凸起上的較高壓力。



I掃描-壓力映射系統(tǒng)提供了在拋光過程中由拋光頭施加在晶片上的壓力的瞬時(shí)洞察。如果存在不均勻的壓力，I掃描將在彩色2D和3D圖像中顯示它們。然后可以進(jìn)行機(jī)器調(diào)整，并采取新的措施來確保均勻的壓力。



專利薄傳感器很容易適應(yīng)這種應(yīng)用，并減少環(huán)境干擾，從而測量真實(shí)的壓力模式。傳感器具有不同的形狀，可重復(fù)使用，并提供精確的壓力讀數(shù)。在我們高素質(zhì)的銷售和工程支持團(tuán)隊(duì)的幫助下，每個(gè)系統(tǒng)可以被配置成滿足您的特定需求。



晶圓拋光壓力測量應(yīng)用

識別不均勻的拋光、磨損部件和低壓力

調(diào)整前后比較

機(jī)器對機(jī)器比較

可靠性和驗(yàn)證測試

壓力映射的好處

改進(jìn)機(jī)器設(shè)置：

節(jié)省時(shí)間和金錢

減少產(chǎn)品浪費(fèi)

識別低產(chǎn)機(jī)

提高生產(chǎn)良率